EEPROM
L'EEPROM [ElectricallyErasable Programmable Read Only Memory] est une mémoire non volatile programmable que nous pouvons effacer par un signal électrique.
L'avantage de l'EEPROM sur l'EPROM est que nous pouvons reprogrammer notre ROM par un signal électrique sans devoir l'enlever de son support.
L'effacement se fait adresse par adresse, mais très lentement (quelques millisecondes par octet).
Nous pouvons utiliser des EEPROM en tant que RAM [“Random Access Memory”3] non volatile si les changements ne sont pas trop fréquents, mais la lenteur d'effacement et le coût élevé de ce type de mémoire limitent leur usage à des fonctions ROM [“Read Only Memory”5] reprogrammées si le besoin s'en ressent.
Alors que nous utilisions des FAMOS pour les EPROM [Erasable Programmable Read Only Memory], le type de transistor que nous utilisons dans les EEPROMs est le SAMOS [Staked gate avalanche injection MOS transistor].
Un champ électrique issu d'une tension de plus de 24V durant 10mS appliquée entre le drain et la source crée un effet de tunnel (les électrons peuvent alors voyager dans les deux sens).
Comme la seconde grille (G2) et la source sont mises à la masse, les électrons traversent l'isolant (15 nm environ de dioxyde de silicium au niveau du drain) et la tension de seuil revient à la normale. Le transistor est passant (non bloqué) et l'EEPROM est effacée.
Pour programmer notre EEPROM, nous devons bloquer certains transistors. La source et le drain sont mis à la masse, et une tension positive est appliquée entre la seconde grille et la masse. Des électrons traversent la mince couche d'oxyde à la sortie du drain et sont piégés dans la grille flottante.
L'élimination par voie électrique des électrons piégés dans la grille flottante (G1) est facilitée par l'étroitesse de la couche entre l'oxyde et la grille.
Cette charge se maintient une dizaine d'années en condition normale.
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22/12/2024 02:16:25 Cette version de la page est en cache (à la date du 22/12/2024 02:16:25) afin d'accélérer le traitement. Vous pouvez activer le mode utilisateur dans le menu en haut pour afficher la dernère version de la page.Document créé le 19/05/2004, dernière modification le 07/01/2019
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- ↑a,b,c,d,e,f… 1 en plus… ElectricallyErasable Programmable Read Only Memory : correspond à « mémoire programmable, en lecture seule mais effaçable électriquement » en français
- ↑a,b,c,d,e,f… 1 en plus… EEPROM : “ElectricallyErasable Programmable Read Only Memory” (en français, « mémoire programmable, en lecture seule mais effaçable électriquement »)
- ↑a,b Random Access Memory : correspond à « mémoire vive, ou traduction litérale mémoire à accès aléatoire » en français
- ↑ RAM : “Random Access Memory” (en français, « mémoire vive, ou traduction litérale mémoire à accès aléatoire »)
- ↑a,b Read Only Memory : correspond à « mémoire morte, ou traduction litérale mémoire en lecture seule » en français
- ↑ ROM : “Read Only Memory” (en français, « mémoire morte, ou traduction litérale mémoire en lecture seule »)
- ↑ Erasable Programmable Read Only Memory : correspond à « mémoire programmable, en lecture seule mais effaçable » en français
- ↑ EPROM : “Erasable Programmable Read Only Memory” (en français, « mémoire programmable, en lecture seule mais effaçable »)
- ↑ SAMOS : Staked gate avalanche injection MOS transistor
